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小型封裝內(nèi)置第4代SiC MOSFET，實(shí)現(xiàn)業(yè)界超高功率密度，助力xEV逆變器實(shí)現(xiàn)小型化!

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向300kW以下的xEV(電動(dòng)汽車)用牽引逆變器，開發(fā)出二合一SiC封裝型模塊“TRCDRIVE pack?”，共4款產(chǎn)品(750V 2個(gè)型號(hào)：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2個(gè)型號(hào)：BSTxxxD12P4A1x1)。TRCDRIVE pack?的功率密度高，并采用ROHM自有的引腳排列方式，有助于解決牽引逆變器面臨的小型化、效率提升和減少工時(shí)等主要課題。

近年來，在致力于實(shí)現(xiàn)無碳社會(huì)的進(jìn)程中，汽車的電動(dòng)化發(fā)展迅速，這促進(jìn)了更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)動(dòng)力總成系統(tǒng)的開發(fā)。另一方面，作為關(guān)鍵器件備受關(guān)注的SiC功率器件卻面臨著難以同時(shí)減小尺寸并降低損耗的難題。對此，ROHM開發(fā)出TRCDRIVE pack?，可以解決動(dòng)力系統(tǒng)中的這一課題。

TRCDRIVE pack?是牽引逆變器驅(qū)動(dòng)用SiC封裝型模塊的專用商標(biāo)，標(biāo)有該商標(biāo)的產(chǎn)品利用ROHM自有的結(jié)構(gòu)，更大程度地?cái)U(kuò)大了散熱面積，從而實(shí)現(xiàn)了緊湊型封裝。另外，新產(chǎn)品還搭載了低導(dǎo)通電阻的第4代SiC MOSFET，實(shí)現(xiàn)了是普通SiC封裝型模塊1.5倍的業(yè)界超高功率密度，非常有助于xEV逆變器的小型化。

此外，該模塊在模塊頂部配備了“Press fit pin”方式的控制用信號(hào)引腳，因此只需從頂部按壓柵極驅(qū)動(dòng)器電路板即可完成連接，有助于減少安裝工時(shí)。不僅如此，還通過盡可能擴(kuò)大主電流布線中的電流路徑和采用雙層布線結(jié)構(gòu)，降低了電感值(5.7nH)，從而有助于降低開關(guān)時(shí)的損耗。

該產(chǎn)品雖然是模塊產(chǎn)品，但目前已經(jīng)確立了類似于分立產(chǎn)品的量產(chǎn)體系，與以往普通的SiC殼體型模塊相比，產(chǎn)能提高了約30倍。新產(chǎn)品將于2024年6月開始暫以月產(chǎn)10萬個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價(jià)格：75,000日元/個(gè)，不含稅)。